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MOS管器件击穿机理分析

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Ivan
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1#
发表于 2012-5-14 21:31:56 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式


MOS管击穿发生时场强分布如图1所示，如果没有栅，则PN结的最大场强出现在结中间Ei，由于多晶栅的存在，则在A点又出现一个场强峰值Ed，因为MOS管具有栅结构，所以其击穿和单纯的PN结击穿是不完全相同的。




MOS管器件击穿机理分析.doc (290 KB, 下载次数: 3618)
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未知的人鱼
2#
发表于 2012-5-14 21:32:02 | 只看该作者
下不了，呜呜....
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