MOS管器件击穿机理分析

Ivan · 发表于 2012-5-14 21:31:56

MOS管击穿发生时场强分布如图1所示，如果没有栅，则PN结的最大场强出现在结中间Ei，由于多晶栅的存在，则在A点又出现一个场强峰值Ed，因为MOS管具有栅结构，所以其击穿和单纯的PN结击穿是不完全相同的。

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未知的人鱼 · 发表于 2012-5-14 21:32:02

下不了，呜呜....

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