微电子器件复杂的发展,使得依据MIL-HDBK- 217手册的预计日趋困难。有人可能会说MIL-HDBK- 217不应该用来预计新技术的可靠性。但是由于手册一般来说都是几年以前出版的,而其中的数据一般是出版之前5到10年或更久以前的,那么我们可以公正地说,手册已经不能用来对任何正在使用的电子技术进行预计了。例如利用MIL-HDBK- 217B对64K随机存储器件(RAM)计算出的平均故障间隙时间是13秒。此结果超过器件实际MTBF(Mean Time Between Failures, 平均故障间隔时间)几个数量级。所以,由于电子业的迅猛发展,MIL-HDBK-217不能有效地预计电子产品可靠性了。
8). 传统可靠性预计方法的评估结果差异很大。举例来说,一块由70块 64K DRAM组成的存储单板,在“正常良好”40℃良好环境下运行,用不同的预计手册进行可靠性预计,得到的预计失效率从700 FITS(FIT: failure in time, 每十亿小时一次失效)到4,240,460FITS。过于乐观的预计可能会导致致命的结果,过于悲观的预测会增加系统成本(如进行额外测试、或进行冗余设计等)、项目延期甚至停止开发。所以,这些传统预计方法不能用于前期预评估、基线制定和设计权衡。