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标题: 半导体器件芯片失效分析芯片内部分层，孔洞气泡失效分析 [打印本页]

作者: 星河 时间: 2012-5-17 23:43
标题: 半导体器件芯片失效分析芯片内部分层，孔洞气泡失效分析
半导体器件芯片内部失效分析芯片内部分层，孔洞气泡失效分析C-SAM的叫法很多有，扫描声波显微镜或声扫描显微镜或扫描声学显微镜或超声波扫描显微镜(Scanning acoustic microscope）
总概c-sam(sat)测试。
其主要是针对半导体器件 ,芯片，材料内部的失效分析．其可以检查到:１.材料内部的晶格结构，杂质颗粒．夹杂物．沉淀物．2. 内部裂纹. 3.分层缺陷.4.空洞,气泡,空隙等. 如果对分析芯片封装中的应用.感兴趣的话大家可以一起讨论哦。

MLCC器件的内部失效分析方法
超声波扫描分析（超声波扫描显微镜C-SAM测试）
扫描超声方法是分析多层陶瓷电容器的最重要的无损检测方法。可以十分有效地探测空洞、分层和水平裂纹。由于超声的分析原理主要是平面反射，因而对垂直裂纹如绝大多数的烧结裂纹、垂直分量较大的弯曲裂纹的分辨能力不强。同时一般多层陶瓷电容器的检测需要较高的超声频率。图2为典型的空洞和分层的扫描超声检测结果
SAM扫描模式.jpg

作者: 鱼漂 时间: 2012-5-17 23:43
感觉像是做生意的，有没有更具体一点的呢！

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