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标题: 失效模式和机理与生产年代、使用环境的关系 [打印本页]

作者: 格林顿 时间: 2012-5-17 23:33
标题: 失效模式和机理与生产年代、使用环境的关系
2.1.3.2失效模式和机理与生产年代、使用环境的关系：

对於功能或型号相同的器件，不同年代的产品失效模式和机理是

不同的。比如，上世纪50~60年代因半导体加工用的去离子水纯度不

够，钠离子玷污造成的器件漏电大的失效模式占失效总数的比例很

高，此後，大约过了二十多年，因去离子水纯度问题已经解决，纳离

子玷污造成的器件漏电大的失效模式明显减少。又如，Bel某些有需

要Molding的产品，以前产品内部使用收缩率大的Silicon，好几年，

产品经常有Crack存在。後来，改用Dolph，此问题明显减少。

即使同年代的产品，地区不同，失效模式机理也不同。比如同批

次的积体电路其内在的抗静电能力相同，但因为环境湿度不同，在不

同地方，出现静电击穿失效模式的比例也不同。同在一个地方使用，

夏季出现的比例比冬季要少。同在一个地方与冬季使用，使用时注意

静电防护的单位或个人，出现的静电击穿比例少。

所以，如果不了解这一点，有时我们可能无法解释一个20年前制

①造的失效件的失效现象，或无法解释同批的失效件仅仅在特定的条

件下失效。

作者: 心海恋歌 时间: 2012-5-17 23:33
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